下面哪种方式是不能够抑制MOS器件的GIDL电流 A: 减少栅极氧化层厚度 B: 减少硅表面缺陷密度 C: 减少漏极电压 D: 减少漏极掺杂浓度
下面哪种方式是不能够抑制MOS器件的GIDL电流 A: 减少栅极氧化层厚度 B: 减少硅表面缺陷密度 C: 减少漏极电压 D: 减少漏极掺杂浓度
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下面哪种方式是不能够抑制MOS器件的GIDL电流 A: 减少栅极氧化层厚度 B: 减少硅表面缺陷密度 C: 减少漏极电压 D: 减少漏极掺杂浓度