在络合滴定中,掩蔽剂的用量越多越好。 ()
错
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举一反三
- 关于络合掩蔽及其影响因素,正确的有( ) A: 加入掩蔽剂使其与干扰离子形成稳定的络合物而消除干扰的方法为络合掩蔽 B: 加入试剂的顺序对络合掩蔽无影响。 C: 溶液的酸度、金属离子的水解会影响络合掩蔽。 D: 掩蔽剂的用量、温度也影响络合掩蔽。
- 络合滴定中常用的掩蔽剂有()。 A: EDTA B: 三乙醇胺 C: 苦杏仁酸 D: 酒石酸
- 络合滴定中,常用的掩蔽方法有()。 A: pH掩蔽法; B: 络合掩蔽法; C: 沉淀掩蔽法; D: 氧化—还原掩蔽法。
- 在络合滴定M离子时,常利用掩蔽剂A来掩蔽干扰离子N,其掩蔽效果取决于() A: lgcMspKMY-lgcNspKNY B: lgaN(A) C: lgcMspKMY D: lgaM(A)
- 在络合滴定M离子时,常利用掩蔽剂A来掩蔽干扰离子N,其掩蔽效果取决于( ) A: lgcMspKMY-lgcNspKNY B: lgaN(A) C: lgcMspKMY D: lgaM(A)
内容
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络合滴定中,常用的掩蔽方法有()。 A: ApH掩蔽法; B: B络合掩蔽法; C: C沉淀掩蔽法; D: D氧化—还原掩蔽法。
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在络合滴定中,当存在干扰离子时,一般优先使用( )。 A: 沉淀掩蔽法 B: 离子交换法分离 C: 络合掩蔽法 D: 氧化还原掩蔽法
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络合滴定中常用的掩蔽剂有()。 A: AEDTA B: B三乙醇胺 C: C苦杏仁酸 D: D酒石酸
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络合掩蔽剂和沉淀掩蔽剂各应具备什么条件?
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下列关于络合掩蔽剂的叙述中;错误的是 未知类型:{'options': ['络合掩蔽剂与干扰离子的络合物稳定性,远比[tex=2.929x1.0]NlefGGJF2e6P2jYOHTb2XA==[/tex]的络合物稳定', '络合掩蔽剂应在一定的[tex=1.357x1.214]1kiKxzWeZt26Aao1ElyoVQ==[/tex]范围内使用', '络合掩蔽剂不与待测离子发生络合反应,或生成的络合物稳定性较小', '络合掩蔽剂与待测离子生成的络合物的稳定性应足够高'], 'type': 102}