短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移，这是由于热载流子效应，一般这个效应使NMOS器件的阈值电压 ，使PMOS器件的阈值电压 。
A: 升高；降低
B: 升高；升高
C: 降低；降低
D: 降低；升高
A: 升高；降低
B: 升高；升高
C: 降低；降低
D: 降低；升高
举一反三
- 中国大学MOOC: 短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移，这是由于热载流子效应，一般这个效应使NMOS器件的阈值电压 ，使PMOS器件的阈值电压 。
- 衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
- 短沟道效应会导致的后果不包括的是（）。 A: 阈值电压降低，器件特性改变 B: 亚阈值特性变差，漏电流更加明显 C: 漏极电子发生倍增，形成衬底电流 D: 沟道电阻降低，饱和电流上升
- TN液晶显示器的阈值电压随温度升高会（ ） A: 升高 B: 降低 C: 先升高后降低 D: 先降低后升高
- 以下哪个因素导致NMOSFET阈值电压升高？ A: 源漏电荷分享 B: 窄沟道效应 C: 漏感应势垒降低效应 D: 载流子速度饱和效应