短沟道效应会导致的后果不包括的是（）。
A: 阈值电压降低，器件特性改变
B: 亚阈值特性变差，漏电流更加明显
C: 漏极电子发生倍增，形成衬底电流
D: 沟道电阻降低，饱和电流上升
A: 阈值电压降低，器件特性改变
B: 亚阈值特性变差，漏电流更加明显
C: 漏极电子发生倍增，形成衬底电流
D: 沟道电阻降低，饱和电流上升
举一反三
- MOSFET的特性就是沟道的电阻特性，所以漏极电流随漏源电压线性增加。
- 在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
- 短沟道效应会引起的变化是（ ）。 A: 沟道长度减小，阈值电压增大 B: 沟道长度减小，阈值电压减小 C: 沟道长度减小，阈值电源不变 D: 沟道长度减小，阈值电压不一定
- 短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象：（ ）。 A: 饱和漏源电压正比于沟道长度 L B: 阈值电压随L 的缩短而减小 C: 饱和漏极电流与沟道长度L无关 D: 跨导与沟道长度 L 不再有关
- 以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 栅氧化层厚度减小 B: 沟道长度增加 C: 沟道宽度增加 D: 阈值电压提高