重要参数阈值电压由很多因素决定，下列哪个不包含在内
A: 衬底掺杂浓度
B: 氧化层厚度
C: 多晶硅与衬底的功函数差
D: 栅极电压
A: 衬底掺杂浓度
B: 氧化层厚度
C: 多晶硅与衬底的功函数差
D: 栅极电压
举一反三
- 中国大学MOOC: 重要参数阈值电压由很多因素决定，下列哪个不包含在内
- 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压,衬底掺杂浓度越低,则阈值电压
- 影响MOSFET阈值电压的因素有（ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道宽度 C: 衬底掺杂浓度 D: 氧化层固定电荷
- 以下关于MOSFET阈值电压的说法中，错误的是（）。 A: 半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压 B: 若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小 C: 衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态 D: 氧化层厚度增加，阈值电压增加
- 以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响 （ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道长度 C: 氧化层固定电荷 D: 衬底掺杂浓度