以下哪一项不利于增加NMOSFET的阈值电压( )
A: 增加SiO2的厚度
B: 向沟道掺入B
C: Wm
A: 增加SiO2的厚度
B: 向沟道掺入B
C: Wm
C
举一反三
- 减小NMOSFET晶体管的亚阈摆幅措施为 A: 增加氧化层厚度 B: 提高沟道区掺杂浓度 C: 降低沟道长度 D: 增加衬-源反偏电压
- 以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 栅氧化层厚度减小 B: 沟道长度增加 C: 沟道宽度增加 D: 阈值电压提高
- 以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 增加沟道长度 B: 减小栅氧化层厚度 C: 减小沟道宽度 D: 提高阈值电压
- 短沟道效应会引起的变化是（ ）。 A: 沟道长度减小，阈值电压增大 B: 沟道长度减小，阈值电压减小 C: 沟道长度减小，阈值电源不变 D: 沟道长度减小，阈值电压不一定
- 短沟道效应会引起的变化是（ ）。 A: 沟道长度减小，阈值电压增大 B: 沟道长度减小，阈值电压减小 C: 沟道长度减小，阈值电源不变 D: 沟道长度减小，阈值电压变化不一定
内容
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当MOSFET的沟道宽度很窄时，阈值电压将随着沟道宽度的增加而（ ）。【填减小或增加】
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哪一项不利于增加利他行为
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以下关于MOSFET阈值电压的说法中，错误的是（）。 A: 半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压 B: 若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小 C: 衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态 D: 氧化层厚度增加，阈值电压增加
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当MOSFET的沟道宽度很小时，阈值电压将随着沟道宽度的增加而（ ）。 A:
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对于窄沟道NMOSFET来说，使用STI（氧化物浅槽隔离）会使得沟道变窄时阈值电压（） A: 增大 B: 减小 C: 不变 D: 不确定