减小NMOSFET晶体管的亚阈摆幅措施为
A: 增加氧化层厚度
B: 提高沟道区掺杂浓度
C: 降低沟道长度
D: 增加衬-源反偏电压
A: 增加氧化层厚度
B: 提高沟道区掺杂浓度
C: 降低沟道长度
D: 增加衬-源反偏电压
举一反三
- 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（ ）。 A: 减小沟道长度 B: 增加栅氧化层厚度 C: 增加沟道宽度 D: 降低衬底掺杂浓度
- （）会使亚阈值摆幅变小 A: 缩短沟道长度 B: 减小沟道宽度 C: 减小氧化层厚度 D: 提高衬底掺杂浓度
- 以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应：（ ）。 A: 减小衬底掺杂浓度 B: 减小沟道长度 C: 增加源漏结深 D: 减小氧化层厚度
- 以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 栅氧化层厚度减小 B: 沟道长度增加 C: 沟道宽度增加 D: 阈值电压提高
- 以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 增加沟道长度 B: 减小栅氧化层厚度 C: 减小沟道宽度 D: 提高阈值电压