下面哪一种不是异质结双极型晶体管的特点
A: 基区禁带宽
B: 基区宽度窄
C: 基区掺杂浓度高
D: 特征频率高
A: 基区禁带宽
B: 基区宽度窄
C: 基区掺杂浓度高
D: 特征频率高
A
举一反三
- 对于双极型晶体管，下列叙述正确的是（ ）。 A: 基区厚、掺杂浓度低 B: 基区厚、掺杂浓度高 C: 基区薄、掺杂浓度高 D: 基区薄、掺杂浓度低
- 下列双极型晶体管中，最容易发生基区穿通现象的是（ ）。 A: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较大 B: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较小 C: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较大 D: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较小
- 要减弱双极型晶体管基区宽度调变效应，可采取降低基区掺杂浓度、增大基区宽度等措施。
- 要减弱双极型晶体管基区宽度调变效应，可采取降低基区掺杂浓度、增大基区宽度等措施。 A: 正确 B: 错误
- 要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（ ）。 A: 增大基区掺杂浓度 B: 减小基区掺杂浓度 C: 增大基区宽度 D: 减小基区宽度
内容
- 0
对于双极型晶体管,下列叙述正确的是（ ） A: 基区厚、渗杂浓度低; B: 基区厚、渗杂浓度高; C: 基区薄、渗杂浓度高; D: 基区薄、渗杂浓度低。
- 1
关于双极型晶体管（BJT）的基区，基区宽度越 ，载流子传输过程中的损失越小,基区浓度越 ，载流子传输过程中的损失越大 A: 大，高 B: 大，低 C: 小，高 D: 小，低
- 2
在异质结双极型晶体管中，通常用（ ）。 A: 窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区 B: 宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区 C: 窄禁带材料制作基区，用宽禁带材料制作集电区 D: 宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区
- 3
双极型晶体管的基区输运系数主要取决于 A: 发射区宽度 B: 基区宽度 C: 发射效率 D: 集电区宽度
- 4
在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。