室温下，某半导体的本征载流子浓度为2×10^6cm^-3,掺杂浓度为ND=10^15cm^-3，电子和空穴的迁移率分别为8500cm^2/V·s和400cm^2/V·s。若外加电场强度为10V/cm，则其漂移电流密度为cm^2
举一反三
- 一个NPN硅晶体管基区宽度为2 mm，基区掺杂浓度为5E16 cm^-3，少子寿命为1E-6 S，基区少子扩散系数为15 cm^2/S，发射极电流密度为0.1 A/cm^2，计算在发射结基区一边的非平衡电子浓度，发射结电压以及基区输运因子（精确到小数点后4位,Si的ni=1.45E10 cm^-3）。
- 1.9 一质点沿\(x\)轴运动，其速度与时间的关系式为：\(v=4+t^2\)，式中v的单位为cm/s，\(t\)的单位为s，当\(t\)=3s时质点位于\(x=9\)cm处，则质点的位置与时间的关系为 A: \(x=4t+t^3/3+12\)(cm) B: \(x=4t+t^3/3-12\)(cm) C: \(x=4t+t^3/3\)(cm) D: \(x=2t\)(cm)
- 120.留置尿管者见尿后再插入( ) A: 1～2 cm B: 2～3 cm C: 7～10 cm D: 3～5 cm E: 6～8 cm
- 两个同心球面半径分别为10 cm和30 cm,小球均匀带有正电荷1.000d710-8 C,大球带有正电荷1.500d710-8 C。则离球心为20 cm,50 cm处的电势分别为V和V
- 成人CPR，按压胸骨下陷深度为： A: 1.5 ~ 2 cm B: 2 ~ 4 cm C: 5 ~ 6 cm D: 3 ~ 5 cm