一个NPN硅晶体管基区宽度为2 mm，基区掺杂浓度为5E16 cm^-3，少子寿命为1E-6 S，基区少子扩散系数为15 cm^2/S，发射极电流密度为0.1 A/cm^2，计算在发射结基区一边的非平衡电子浓度，发射结电压以及基区输运因子（精确到小数点后4位,Si的ni=1.45E10 cm^-3）。
举一反三
- 晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
- 下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率 A: 提高发射区的掺杂浓度 B: 采用宽禁带基区材料 C: 减小基区掺杂浓度 D: 减少发射结复合电流
- 均匀基区晶体管的基区存在复合，基区内少子的分布可近似为线性分布，主要原因是（ ）。 A: 基区宽度远小于基区中少子的扩散长度 B: 基区的杂质是均匀分布的 C: 发射结和集电结是突变结 D: 发射区和集电区的杂质是均匀分布的
- 双极型晶体管的基区输运系数主要取决于 A: 发射区宽度 B: 基区宽度 C: 发射效率 D: 集电区宽度
- 要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（ ）。 A: 增大基区掺杂浓度 B: 减小基区掺杂浓度 C: 增大基区宽度 D: 减小基区宽度