在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于（）。（2.0分）
A: 掺杂工艺
B: 杂质浓度
C: 温度
D: 晶体缺陷
A: 掺杂工艺
B: 杂质浓度
C: 温度
D: 晶体缺陷
C
举一反三
- 在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于（）。（2.0分） A: 掺杂工艺 B: 杂质浓度 C: 温度 D: 晶体缺陷
- 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 杂质浓度 C: 晶体缺陷 D: 掺杂工艺
- 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ),而少数载流子的浓度则与( )有很大关系。 A: 掺杂工艺、杂质浓度 B: 晶体缺陷、温度 C: 杂质浓度、温度 D: 掺杂工艺、温度
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A: 掺杂工艺 B: 杂质浓度 C: 晶体缺陷 D: 温度
- 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
内容
- 0
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。 A: 晶体缺陷 B: 温度 C: 杂质浓度 D: 掺杂工艺
- 1
在杂质半导体中,少数载流子的浓度与()有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
- 2
在掺杂半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( );而少数载流子的浓度则主取决温度。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 掺杂浓度 D: 晶体缺陷
- 3
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（），而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷 E: 空穴 F: 自由电子
- 4
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度与关系十分密切。（A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度）