对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）
A: 费米能级靠近导带底
B: 空穴为多子
C: 电子为少子
D: 费米能级靠近靠近于价带顶
A: 费米能级靠近导带底
B: 空穴为多子
C: 电子为少子
D: 费米能级靠近靠近于价带顶
举一反三
- 对于N型半导体来说，以下说法正确的是（） A: 费米能级靠近导带底 B: 空穴为多子 C: 电子为少子 D: 费米能级靠近靠近于价带顶
- 对于N型半导体来说，以下说法正确的是（） A: A费米能级靠近导带底 B: B空穴为多子 C: C电子为少子 D: D费米能级靠近靠近于价带顶
- p型半导体，随着掺杂浓度增加，费米能级（ ）。 A: 上升靠近导带底 B: 下降靠近价带顶 C: 不变 D: 上升靠近本征费米能级
- 有效的复合中心能级位置在（ ）附近。 A: 费米能级处 B: 靠近导带底 C: 靠近价带顶 D: 禁带中央
- 1.下列关于半导体材料中费米能级位置的正确的说法是（ ）。 A: P型半导体中，费米能级靠近导带 B: 在热平衡下，PN结两边的半导体具有同一条费米能级 C: N型半导体中，费米能级靠近价带 D: 在外加电压下，PN结两边的半导体具有同一条费米能级