关于电子与物质的相互作用，下列描述错误的是（）
A: 入射能量为10~200 KeV的高能电子穿透能力比X射线强，可用于薄膜分析
B: 入射电子束可以被聚焦
C: 入射电子与样品原子发生弹性散射，散射波相互干涉形成衍射波
D: 入射能量为10~500 eV的低能电子可用于分析样品表面1-5个原子层的结构信息
A: 入射能量为10~200 KeV的高能电子穿透能力比X射线强，可用于薄膜分析
B: 入射电子束可以被聚焦
C: 入射电子与样品原子发生弹性散射，散射波相互干涉形成衍射波
D: 入射能量为10~500 eV的低能电子可用于分析样品表面1-5个原子层的结构信息
举一反三
- 关于电子与物质的相互作用，下列描述错误的是（） A: 入射能量为10~200 KeV的高能电子穿透能力比X射线强，可用于薄膜分析 B: 入射电子束可以被聚焦 C: 入射电子与样品原子发生弹性散射，散射波相互干涉形成衍射波 D: 入射能量为10~500 eV的低能电子可用于分析样品表面1-5个原子层的结构信息
- 关于电子与物质的相互作用，下列描述错误的是（） A: 入射能量为10~200 KeV的高能电子穿透能力比X射线强，可用于薄膜分析 B: 入射电子束可以被聚焦 C: 入射电子与样品原子发生弹性散射，散射波相互干涉形成衍射波 D: 入射能量为10~500 eV的低能电子可用于分析样品表面1-5个原子层的结构信息
- 关于电子与物质的相互作用，下列描述错误的是（） A: 入射能量为10~200 KeV的高能电子穿透能力比X射线强，可用于薄膜分析 B: 入射电子束可以被聚焦 C: 入射电子与样品原子发生弹性散射，散射波相互干涉形成衍射波 D: 入射能量为10~500 eV的低能电子可用于分析样品表面1-5个原子层的结构信息
- 入射电子与样品原子发生（），散射波会相互干涉形成衍射波。
- （ ）是入射电子与固体作用后又离开固体的电子，包括被样品表面原子反射回来的入射电子与通过散射连续改变前进方向,最后又从样品表面发射出去的入射电子。