一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为（）V。
A: 0
B: 1
C: 5
D: 10
A: 0
B: 1
C: 5
D: 10
举一反三
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
- 功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。
- 关于Mosfet管的静态特性，说法错误的是： A: Mosfet管一定是可以反向导通的； B: Mosfet管加正向电压，当栅漏极施加电压大于门槛电压时，会导通； C: Mosfet管加正向电压，当栅源极施加电压大于门槛电压时，会导通； D: Mosfet管的线性区是饱和区；
- MOSFET的沟道处于导通状态时，源漏极电压与漏极电流无关。