一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为（）V。
A: 0
B: 1
C: 5
D: 10
A: 0
B: 1
C: 5
D: 10
D
举一反三
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
- 功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。
- 关于Mosfet管的静态特性，说法错误的是： A: Mosfet管一定是可以反向导通的； B: Mosfet管加正向电压，当栅漏极施加电压大于门槛电压时，会导通； C: Mosfet管加正向电压，当栅源极施加电压大于门槛电压时，会导通； D: Mosfet管的线性区是饱和区；
- MOSFET的沟道处于导通状态时，源漏极电压与漏极电流无关。
内容
- 0
MOSFET开关的基本工作原理是通过栅极电压来控制源极和漏极之间的导电沟道的通断。
- 1
MOSFET的饱和漏极电流由()电压决定。 A: 栅极 B: 源极 C: 漏极 D: 体
- 2
在MOS管的栅极引脚输入高电平,其漏极和源极导通。 ( <br/>)
- 3
电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为正，器件可以导通。
- 4
IGBT之间只要施加正向电压且大于开启电压，IGBT就可以导通；只要施加反向电压IGBT就可以关断（） A: 栅极与漏极 B: 栅极与源极 C: 源极与漏极 D: 均不对