关于Mosfet管的静态特性，说法错误的是：
A: Mosfet管一定是可以反向导通的；
B: Mosfet管加正向电压，当栅漏极施加电压大于门槛电压时，会导通；
C: Mosfet管加正向电压，当栅源极施加电压大于门槛电压时，会导通；
D: Mosfet管的线性区是饱和区；
A: Mosfet管一定是可以反向导通的；
B: Mosfet管加正向电压，当栅漏极施加电压大于门槛电压时，会导通；
C: Mosfet管加正向电压，当栅源极施加电压大于门槛电压时，会导通；
D: Mosfet管的线性区是饱和区；
举一反三
- 电力MOSFET（N沟道增强型），从转移特性中可以看出，栅源极间电压需要大于门槛电压，器件才能可靠导通。
- 电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为正，器件可以导通。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
- 电力MOSFET导通：在栅源之间加（ ）电压，大于开启电压。 A: 正 B: 负 C: 零 D: 以上都可以
- 一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为（）V。 A: 0 B: 1 C: 5 D: 10