MOSFET的特性就是沟道的电阻特性，所以漏极电流随漏源电压线性增加。
举一反三
- MOSFET的沟道处于导通状态时，源漏极电压与漏极电流无关。
- 以N沟道增强型MOSFET为例，当漏源电压不变时，即使栅电压增加，漏极电流也不增加。
- MOSFET夹断后，随着漏极电压的增加，导电沟道两端的电压保持不变，但沟道长度L缩短，漏极电压增加，呈现不饱和特性，这种现象称为（）。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
- MOSFET的转移特性曲线是指栅源电压对漏极电流的控制作用。