杂质半导体中，的浓度对温度敏感。
A: 多数载流子
B: 少数载流子
C: 杂质离子
D: 空穴
A: 多数载流子
B: 少数载流子
C: 杂质离子
D: 空穴
B
举一反三
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要决定于；而少数载流子的浓度与 密切相关。（ ） A: 掺入的杂质半导体；温度 B: 温度；掺入的杂质半导体 C: 温度；温度 D: 掺入的杂质半导体；掺入的杂质半导体
- 14.1.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的？为什么杂质半导体中少数载流子的浓度比本征半导体中少数载流子的浓度小？
- 杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂浓度，少数载流子的数量取决于温度。
- 在杂质半导体中,多数载流子的浓度与杂质浓度有关,N型半导体中的少数载流子是( )。 A: 自由电子 B: 空穴
- 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
内容
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已知杂质半导体中的多数载流子为电子，则该杂质半导体为；多数载流子为空穴，则该杂质半导体为。
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杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂的浓度，而少数载流子的数量则与温度有关，温度越高，少数载流子的数量
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N型半导体中的多数载流子是________，少数载流子是________。 A: 自由电子 空穴 B: 空穴 自由电子 C: 自由电子 杂质 D: 正离子 负离子
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_______，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。 A: 温度杂质浓度 B: 参杂浓度温度 C: 温度温度 D: 杂质的浓度杂质浓度
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杂质半导体中少数载流子的浓度()本征半导体中载流子浓度