杂质半导体中，的浓度对温度敏感。
A: 多数载流子
B: 少数载流子
C: 杂质离子
D: 空穴
A: 多数载流子
B: 少数载流子
C: 杂质离子
D: 空穴
举一反三
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要决定于；而少数载流子的浓度与 密切相关。（ ） A: 掺入的杂质半导体；温度 B: 温度；掺入的杂质半导体 C: 温度；温度 D: 掺入的杂质半导体；掺入的杂质半导体
- 14.1.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的？为什么杂质半导体中少数载流子的浓度比本征半导体中少数载流子的浓度小？
- 杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂浓度，少数载流子的数量取决于温度。
- 在杂质半导体中,多数载流子的浓度与杂质浓度有关,N型半导体中的少数载流子是( )。 A: 自由电子 B: 空穴
- 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？