Si-SiO2界面态密度最大的晶向是( )。
A: (111)
B: (110)
C: (100)
D: 界面态密度与晶向无关
A: (111)
B: (110)
C: (100)
D: 界面态密度与晶向无关
举一反三
- Si-SiO2界面态密度最大的晶向是()。 A: (111) B: (110) C: (100) D: 界面态密度与晶向无关
- 界面态密度随晶体取向而变,对于硅晶体,界面态密度按( )顺序而变。 A: (111)<(100)<(110) B: (100)<(110)<(111) C: (110)<(100)<(111) D: (101)<(110)<(111)
- 要减少Si-SiO2界面附近的固定正电荷,可通过 退火,选用 晶向( )。 A: 低温,(100) B: 低温,(111) C: 高温,(100) D: 高温,(110)
- 要减少Si-SiO2界面附近的固定正电荷,可通过 退火,选用 晶向( )。 A: 低温,(100) B: 低温,(111) C: 高温,(100) D: 高温,(110)
- 在FCC晶格中,原子密度最大的晶向是( )。 A: <100> B: <110> C: <111> D: {111}