Si-SiO2界面态密度最大的晶向是（）。
A: (111)
B: (110)
C: (100)
D: 界面态密度与晶向无关
A: (111)
B: (110)
C: (100)
D: 界面态密度与晶向无关
举一反三
- Si-SiO2界面态密度最大的晶向是（）。 A: (111) B: (110) C: (100) D: 界面态密度与晶向无关
- 界面态密度随晶体取向而变，对于硅晶体，界面态密度按（ ）顺序而变。 A: （111）＜（100）＜（110） B: （100）＜（110）＜（111） C: （110）＜（100）＜（111） D: （101）＜（110）＜（111）
- 要减少Si-SiO2界面附近的固定正电荷，可通过 退火，选用 晶向（ ）。 A: 低温，(100) B: 低温，(111) C: 高温，(100) D: 高温，(110)
- 要减少Si-SiO2界面附近的固定正电荷，可通过 退火，选用 晶向（ ）。 A: 低温，(100) B: 低温，(111) C: 高温，(100) D: 高温，(110)
- 在FCC晶格中，原子密度最大的晶向是( )。 A: ＜100＞ B: ＜110＞ C: ＜111＞ D: {111}