界面态密度随晶体取向而变，对于硅晶体，界面态密度按（ ）顺序而变。
A: （111）＜（100）＜（110）
B: （100）＜（110）＜（111）
C: （110）＜（100）＜（111）
D: （101）＜（110）＜（111）
A: （111）＜（100）＜（110）
B: （100）＜（110）＜（111）
C: （110）＜（100）＜（111）
D: （101）＜（110）＜（111）
举一反三
- Si-SiO2界面态密度最大的晶向是（ ）。 A: (111) B: (110) C: (100) D: 界面态密度与晶向无关
- Si-SiO2界面态密度最大的晶向是（）。 A: (111) B: (110) C: (100) D: 界面态密度与晶向无关
- 2. 立方晶系中（100）、（110）、（111）、（200）四个晶面按晶面间距从大到小排列依次应该是（ ） A: （100）、（200）、（110）、（111） B: （111）、（110）、（200）、（100） C: （200）、（111）、（110）、（100） D: （100）、（110）、（111）、（200）
- 属于面心立方的滑移系是： A: (111)[101̅] B: (111)[110] C: (110)[111] D: (100)[100]
- 对于具面心立方结构（fcc）的晶体，真空中各晶面的表面能大小具有如下关系( ) A: fcc(100)>fcc(110)>fcc(111) B: fcc (111)>fcc(110)>fcc(100) C: fcc(110)>fcc(100)>fcc(111) D: fcc(111)>fcc(100)>fcc(110)