跨导gmQ体现的是uGS对iD的控制能力
举一反三
- 场效应管跨导gm表示（）对漏电流iD的控制能力的强弱。
- 场效应晶体管的低频跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征场效应晶体管放大能力的一个重要参数。其定义为：当uDS为规定值时，漏极电流iD的变化量和引起这个变化的( )变化量之比。 A: 漏极电流iD B: 栅源电压uGS C: 栅极电流iG D: 不确定
- 场效应管栅源电压UGS对漏极电流的控制能力（也是场效应管的放大能力）用什么参数表示这种放大能力的？ A: 电流放大倍数β B: 低频跨导gm C: 电压放大倍数AU D: 电阻温度系数
- 表征场效应管放大作用的重要参数是（ ） A: 跨导gm=ΔID/ΔUGS B: 直流输入电阻RGS C: 开启电压UT D: 电流放大系数β
- 表征场效应管放大能力的重要参数是。 A: 夹断电压UGS(off) B: 低频跨导gm C: 饱和漏极电流IDSS D: 开启电压UGS(th)