增强型的场效应管中存在开启电压，耗尽型的场效应管中存在夹断电压
举一反三
- 栅源控制电压为0时，导电沟道存在的场效应管有 A: 结型场效应管 B: 增强型MOS管 C: 耗尽型MOS管
- 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
- 开启电压是耗尽型MOS管的参数；夹断电压是增强型MOS管的参数。（ ）
- 某场效应管的开启电压[img=60x24]17e441b005f5ad5.png[/img],则该管是_______。 A: N沟道耗尽型MOS管 B: P沟道增强型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管
- 【单选题】已知某 MOS 管的衬底是 P 型半导体,且仅当栅源电压大于开启电压时才能形成导电沟道,此场效应管为()。 A. 耗尽型 NMOS 管 B. 增强型 NMOS 管 C. 耗尽型 PMOS 管 D. 增强型 PMOS 管