增强型的场效应管中存在开启电压,耗尽型的场效应管中存在夹断电压
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举一反三
- 栅源控制电压为0时,导电沟道存在的场效应管有 A: 结型场效应管 B: 增强型MOS管 C: 耗尽型MOS管
- 开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。
- 开启电压是耗尽型MOS管的参数;夹断电压是增强型MOS管的参数。( )
- 某场效应管的开启电压[img=60x24]17e441b005f5ad5.png[/img],则该管是_______。 A: N沟道耗尽型MOS管 B: P沟道增强型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管
- 【单选题】已知某 MOS 管的衬底是 P 型半导体,且仅当栅源电压大于开启电压时才能形成导电沟道,此场效应管为()。 A. 耗尽型 NMOS 管 B. 增强型 NMOS 管 C. 耗尽型 PMOS 管 D. 增强型 PMOS 管
内容
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夹断电压是( )型场效应管的参数,开启电压是( )型场效应管的参数。
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【多选题】不加栅-源电压,存在导电沟道的场效应管是() A. P沟道增强型场效应管 B. N沟道耗尽型场效应管 C. P沟道结型场效应管 D. N沟道增强型场效应管
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【填空题】某场效应管的开启电压 U GS(th) =2V ,则该管是 。 A . N 沟道增强型 MOS 管 B . P 沟道增强型 MOS 管 C . N 沟道耗尽型 MOS 管 D . P 沟道耗尽型 MOS 管
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广义地说,结型场效应管应该: A: 属于耗尽型管 B: 不属于耗尽型管 C: 属于增强型管 D: 不属于增强型管
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结型场效应管的类型有()。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管