以三相CCD为例,说明电荷包转移过程中势阱深度的调节和势阱的耦合是如何实现的?
以三相CCD为例,电荷包转移过程中势阱深度的调节是依靠改变电极上的电压;势阱的耦合是依靠三相时针电压信号,依次相差120度,并有一定的重叠。
举一反三
内容
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CCD摄像器件的基本工作原理是()。 A: 势阱的形成 B: 少数载流子的捕获 C: 少数载流子的转移 D: 电荷探测
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以下关于CCD的说法中，正确的有（ ）。 未知类型：{'options': ['CCD芯片上最重要的部分是MOS电容阵列。', ' 在时钟脉冲信号的作用下，CCD内的信号能够从浅势阱向深势阱转移。', ' 每个光敏元上有三个相邻的转移电极：S。', ' 线阵64位CCD有192个栅极电极，原因是：64[img=11x15]17e0a74713714a0.jpg[/img]3=192。', ' CCD势阱的深浅受栅极电压的控制：电压高，势阱浅；电压低，势阱深。', ' CCD输出的电脉冲信号与光敏元的受光强弱有关。'], 'type': 102}
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CCD势阱能收集的最大电荷量取决于（）。 A: CCD的电极面积 B: 时钟脉冲的驱动方式 C: 电压电平 D: CCD的材料
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CCD电荷信号的搬移是（ ）。 A: 从势阱深的地方向势阱浅的地方 B: 从势阱浅的地方向势阱深的地方 C: 从电压高的地方向电压低的地方 D: 从电压低的地方向电压高的地方
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CCD电荷信号的搬移是（ ）。 A: 从势阱深的地方向势阱浅的地方 B: 从势阱浅的地方向势阱深的地方 C: 从电压高的地方向电压低的地方 D: 从电压低的地方向电压高的地方