关于本征半导体,下列说法错误的是。
A: 导带中填满电子的状态聚集在导带底部；
B: 本征半导体的费米能级位于禁带中央；
C: 随温度升高，本征半导体电阻率升高；
D: 本征半导体的导电能力主要取决于导带中电子数量或价带中空穴数量。
A: 导带中填满电子的状态聚集在导带底部；
B: 本征半导体的费米能级位于禁带中央；
C: 随温度升高，本征半导体电阻率升高；
D: 本征半导体的导电能力主要取决于导带中电子数量或价带中空穴数量。
举一反三
- 下列关于本征半导体，说法正确的有？ A: 本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体 B: 本征半导体的费米能级位于禁带的中线附近 C: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度 D: 本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降
- n型半导体在热平衡状态下，导带电子浓度______ 本征载流子浓度，价带空穴浓度______ 本征载流子浓度。费米能级______ 本征费米能级
- 导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的半导体为本征半导体。
- P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
- 本征半导体的费米能级位于（）。 A: 导带底附近 B: 价带顶附近 C: 禁带中线 D: 导带内