强迫换流,适合下列_______电力电子器件。 A: IGBT B: SCR C: GTR D: PowerMOSFET

IGBT综合了()器件的优点。 A: GTO B: PowerMOSFET C: GTR D: SCR

哪些属于全控型器件() A: SCR B: IGBT C: PowerMOSFET D: GTO

下列电力电子器件中,电流容量最大的是（） A: GTO B: GTR C: PowerMOSFET D: IGBT

电力电子器件（PowerMOSFET,GTO,IGBT,GTR）中，电流容量最大的是（），开关频率最高的是（）

双极型晶体管指的是下列哪一种功率半导体器件 ( ) A: GTO B: GTR C: PowerMOSFET D: IGBT

下列电力电子器件中,存在电导调制效应的是() A: GTO B: GTR C: PowerMOSFET D: IGBT

下列电力电子器件中，属于电流型驱动的是（ ）。 A: GTO B: 电力二极管 C: PowerMOSFET D: IGBT

下列电力电子器件既属于单极型又属于电压驱动型器件的是（） A: POWERMOSFET B: GTR C: GTO D: IGBT

功率场效应晶体管（PowerMOSFET）的栅极绝缘层很薄弱，容易因静电感应被击穿而损坏，一般在不用时将其三个电极（） A: 开路 B: 接地 C: 短接 D: 接电源