设F，G都是4阶方阵，且 A: 810 B: 30 C: -810 D: -30
设F，G都是4阶方阵，且 A: 810 B: 30 C: -810 D: -30
设F,G都是4阶方阵,且,则() A: 30 B: 810 C: -30 D: -810
设F,G都是4阶方阵,且,则() A: 30 B: 810 C: -30 D: -810
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
设F，G都是4阶方阵，且[img=452x70]1786a13fd3b7710.png[/img] A: 30 B: -30 C: 810 D: -810
设F，G都是4阶方阵，且[img=452x70]1786a13fd3b7710.png[/img] A: 30 B: -30 C: 810 D: -810
实对称矩阵[img=404x297]1786992b810a9ef.png[/img]所对应的实二次型为[img=744x100]1786992b9ea65b4.png[/img]。（ ） A: 对 B: 错
实对称矩阵[img=404x297]1786992b810a9ef.png[/img]所对应的实二次型为[img=744x100]1786992b9ea65b4.png[/img]。（ ） A: 对 B: 错
设“插入公式”都是4阶方阵，且“插入公式”，则“插入公式”等于（） A: 30 B: -30 C: 810 D: -810
设“插入公式”都是4阶方阵，且“插入公式”，则“插入公式”等于（） A: 30 B: -30 C: 810 D: -810
组号①②③④⑤频数810■1411
组号①②③④⑤频数810■1411
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev