金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。
A: EF＞Ei
B: EF=Ei
C: EF＜Ei
D: EF＜Ev
A: EF＞Ei
B: EF=Ei
C: EF＜Ei
D: EF＜Ev
举一反三
- MIS（p型）结构中金属加正电压为正偏。如果增加正偏压使半导体表面多子耗尽，这时表面处 。 A: EF B: EF=Ei C: EF>Ei D: 不能确定
- 对于非简并p型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致EF靠近（ ）。 A: Ec B: Ev C: Ei D: Et
- 3. 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致（ ）靠近Ei。A. Ec B. Ev C. Eg D. EF A: A B: B C: C D: D
- 对于只含有一种杂质的非简并p型半导体，费米能级EF随温度升高而（） A: 经过一极小值趋近Ei B: 单调下降 C: 单调上升 D: 经过一极大值趋近Ei
- 解释n型半导体、P型半导体及费米能级Ef的定义？