关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-12 硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下，电子迁移率大小顺序为（ ）。 A: μGaAs＜μGe＜μSi B: μGe＜μSi＜μGaAs C: μSi＜μGe＜μGaAs D: 无法比较 硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下，电子迁移率大小顺序为（ ）。A: μGaAs＜μGe＜μSi B: μGe＜μSi＜μGaAsC: μSi＜μGe＜μGaAsD: 无法比较 答案： 查看 举一反三 硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为______。 A: μ(Si)μ(Ge)><br/>μ(GaAs) B: μ(Ge) 典型的半导体有 A: 硅(Si) B: 锗(Ge) C: 砷化镓(GaAs) D: 铁（Fe） 以下属于第二代半导体材料的有: A: 硅（Si） B: 锗（Ge） C: 砷化镓（GaAs） D: 氮化镓（GaN） 下列材料中,属于半导体材料的有() A: Si和Ge B: 砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb) C: 碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN) 以下不是半导体材料的是： 。 A: Si B: Ge C: GaAs D: C
