IGBT综合了()的优点。
A: MOSFET和GTO
B: MOSFET和GTR
C: GTR和GTO
D: SCR和GTO
A: MOSFET和GTO
B: MOSFET和GTR
C: GTR和GTO
D: SCR和GTO
B
举一反三
- 在下列电力电子器件中，关断时间排序是 A: SCR>GTO>MOSFET>GTR B: GTR>SCR>GTO>MOSFET C: MOSFET>GTR>SCR>GTO D: GTO>MOSFET>GTR>SCR E: SCR>GTO>GTR>MOSFET F: SCR
- 电力电子器件（Power MOSFET,GTO,IGBT,GTR）中，电流容量最大的是（），开关频率最高的是（） A: GTO, Power MOSFET B: IGBT, GTO C: GTR, GTO D: GTO, IGBT
- 在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中,开关速度最快的是 () A: MOSFET B: GTO C: IGBT D: GTR
- 绝缘栅双极晶体管IGbT是一种复合型器件，它是由复合而成的（） A: GTR和MOSFET B: GTR和GTO C: GTO和MOSFET D: S
- 【单选题】电力电子器件(Power MOSFET,GTO,IGBT,GTR)中,电流容量最大的是(),开关频率最高的是() A. GTO, IGBT B. GTO, Power MOSFET C. IGBT, GTO D. GTR, GTO
内容
- 0
IGBT综合了( )和MOSFET的优点，具有良好的特性。 A: GTM B: GTN C: GTO D: GTR
- 1
试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点
- 2
绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是 和 复合而成。 A: GTR B: MOSFET C: GTO D: SCR
- 3
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?
- 4
对IGBT下列说法正确的是（） A: IGBT是MOSFET和GTR复合的产物 B: IGBT是MOSFET和GTO复合的产物 C: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。 D: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性