表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
佳能半画幅镜头的标识为() A: EF B: EF—S C: TS—E D: MP—E
佳能半画幅镜头的标识为() A: EF B: EF—S C: TS—E D: MP—E
反映左心室舒张功能的指标有（） A: E/A比值 B: EF斜率 C: EPSS D: EF E: FS
反映左心室舒张功能的指标有（） A: E/A比值 B: EF斜率 C: EPSS D: EF E: FS
逻辑函数式E'F+EF'+EF ,化简后答案是 A: EF B: F'E+EF' C: E+F
逻辑函数式E'F+EF'+EF ,化简后答案是 A: EF B: F'E+EF' C: E+F
如图，AB//CD，EF⊥AB于E，EF交CD于F，已知∠1=63°，则∠2＝
如图，AB//CD，EF⊥AB于E，EF交CD于F，已知∠1=63°，则∠2＝
侧垂线的投影特性为:()。 A: 侧面投影e＇f＇=EF B: 水平投影ef//OYH，正面投影ef//OZ,都不反映实长、 C: e＂f＂与OYW和OZ的夹角α、β等于EF对H、V面的倾角 D: 侧面投影具有积聚性
侧垂线的投影特性为:()。 A: 侧面投影e＇f＇=EF B: 水平投影ef//OYH，正面投影ef//OZ,都不反映实长、 C: e＂f＂与OYW和OZ的夹角α、β等于EF对H、V面的倾角 D: 侧面投影具有积聚性
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
逻辑函数式E+EF， 简化后结果是（ ）。 A: E B: E C: EF
逻辑函数式E+EF， 简化后结果是（ ）。 A: E B: E C: EF
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev