‎P，Q，R都是4bit的输入矢量，下面哪一种表达形式是正确的（）‌ A: input [3:0] P,Q,R B: input [3:0] P,Q,R C: input P,Q,R[3:0] D: input P[3:0],Q,R E: input P[3:0],Q[3:0],R[3:0] F: input [3:0] P, [3:0]Q, [3:0]R

正电荷q均匀分布在半径为R的圆环上,则圆环中心的电场强度 A: q/(4πεR²) B: 0 C: -q/(4πεR²) D: q/(2εR²)

P,Q,R都是4位的输入矢量,下面哪一种表达形式是正确的。 A: inputP[3:0],Q,R; B: inputP,Q,R[3:0]; C: inputP[3:0],Q[3:0],R[3:0]; D: input[3:0]P,[3:0]Q,[0:3]R; E: input[3:0]P,Q,R;

P，Q，R都是4bit的输入矢量，下面哪一种表达形式是正确的（ ）。 A: input [3:0] P,Q,R; B: input P[3:0],Q[3:0],R; C: input P[3:0],Q,R; D: input P,Q,R[3:0];

注：此题所有空白处填写0或1,填写其他符号错误。若想证明((p→q)∧(q→r))→(p→r)是永真式,可令p→r为0，推出p= ,r= 。若q为1，则p→q和q→r分别为 和 。于是，前件(p→q)∧(q→r)为 。若q为0，则p→q和q→r分别为0和1。于是，前件(p→q)∧(q→r)为0。

在点电荷+q的电场中，无穷远处为电势零点，则r处的电势为 A: q/4πrε0 B: 0 C: -q/4πrε0 D: q/4π

与非门构成的基本RS触发器的输入/S=0，/R=0时，其输出状态为（）。，“/R”和”/S“表示低电平有效 A: Q=0，/Q=1 B: Q=1，/Q=0 C: Q=1，/Q=1 D: Q=0，/Q=0

下列情况下，其它条件相同，精馏过程所需理论板最少的是( )。 A: q=1, R=1.5 B: q =0.5, R =1.5 C: q =0, R =1.5 D: q =0, R =1.5

如果设P=1,Q=0,R=0:,则此命题公式P∧Q→R真值为____。

如图5所示，半径为R的均匀带电球面，总电量为Q，设无穷远处的电势为零，则球内距离球心为r的P点处的电场强度的大小和电势为______。[img=176x159]180331c0c509049.png[/img] A: E = 0 ,U = Q/(4πεR) B: E = 0 ,U = Q/(4πεr) C: E = Q/(4πε2) ,U = Q/(4πεr) D: E = 0 ,U = 0