下列错误的常量是( )。 A: 0xf B: 066 C: 0.123 D: 0128
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表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
下列FANUC程序号中，表达错误的程序号是（）。 A: 066666 B: 0666 C: 06666 D: 066
下列FANUC程序号中，表达错误的程序号是（）。 A: 066666 B: 0666 C: 06666 D: 066
a≠0，若53÷a<53，则a___1；若53÷a>53，则a___1．
a≠0，若53÷a<53，则a___1；若53÷a>53，则a___1．
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
关于流动效率EF与表皮系数S的关系，描述正确的是（ ） A: S>0，则EF<1 B: S<0，则EF>1 C: S=0， 则Ef=1 D: S=1， 则EF=0
关于流动效率EF与表皮系数S的关系，描述正确的是（ ） A: S>0，则EF<1 B: S<0，则EF>1 C: S=0， 则Ef=1 D: S=1， 则EF=0
标准砖的尺寸为（）。 A: 220*150*53 B: 240*115*53 C: 220*115*53 D: 240*150*53
标准砖的尺寸为（）。 A: 220*150*53 B: 240*115*53 C: 220*115*53 D: 240*150*53
以下哪些图像格式支持透明背景（） A: PNG/JPEG B: PNG/GIF C: JPEG/GIF D: BMP/PNG
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