在硅栅工艺中,由于采用了自对准技术,S、D、G是通过( )次掩膜步骤形成的。 A: 1 B: 2 C: 3 D: 4
在硅栅工艺中,由于采用了自对准技术,S、D、G是通过( )次掩膜步骤形成的。 A: 1 B: 2 C: 3 D: 4
当栅介质很薄时，会出现以下哪些问题 A: 在介电常数不变的前提下，单位面积电容会减少 B: 栅介质很难阻止掺杂多晶硅栅里的掺杂元素向沟道里头扩散，尤其是n型掺杂硅里面的P C: 介质层势垒宽度已经接近产生了产生明显的量子隧穿的宽度
当栅介质很薄时，会出现以下哪些问题 A: 在介电常数不变的前提下，单位面积电容会减少 B: 栅介质很难阻止掺杂多晶硅栅里的掺杂元素向沟道里头扩散，尤其是n型掺杂硅里面的P C: 介质层势垒宽度已经接近产生了产生明显的量子隧穿的宽度
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