关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-28 当栅介质很薄时，会出现以下哪些问题 A: 在介电常数不变的前提下，单位面积电容会减少 B: 栅介质很难阻止掺杂多晶硅栅里的掺杂元素向沟道里头扩散，尤其是n型掺杂硅里面的P C: 介质层势垒宽度已经接近产生了产生明显的量子隧穿的宽度 当栅介质很薄时，会出现以下哪些问题A: 在介电常数不变的前提下，单位面积电容会减少B: 栅介质很难阻止掺杂多晶硅栅里的掺杂元素向沟道里头扩散，尤其是n型掺杂硅里面的PC: 介质层势垒宽度已经接近产生了产生明显的量子隧穿的宽度 答案： 查看 举一反三 p型硅掺杂IV族元素，n型硅掺杂III族元素 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。 A: n型掺杂区 B: P型掺杂区 C: 栅氧化层 D: 场氧化层 p型硅掺杂IV族元素，n型硅掺杂III族元素。 A: 对 B: 错 影响MOSFET阈值电压的因素有（ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道宽度 C: 衬底掺杂浓度 D: 氧化层固定电荷 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（ ）。 A: 减小沟道长度 B: 增加栅氧化层厚度 C: 增加沟道宽度 D: 降低衬底掺杂浓度
