增强型MOSFET（E-MOSFET）在上电前，没有导电沟道。

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2022-05-27 问题

增强型MOSFET（E-MOSFET）在上电前，没有导电沟道。

2022-06-14 问题

E-MOSFET根据导电沟道的电极性，分为N沟道和P沟道。

2022-05-31 问题

在下列电力电子器件中，关断时间排序是 A: SCR>GTO>MOSFET>GTR B: GTR>SCR>GTO>MOSFET C: MOSFET>GTR>SCR>GTO D: GTO>MOSFET>GTR>SCR E: SCR>GTO>GTR>MOSFET F: SCR

2022-06-14 问题

E-MOSFET根据导电沟道的电极性，分为N沟道和P沟道。 A: 正确 B: 错误

2022-07-25 问题

‏下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有。‎ A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET E: N沟道结型场效应管

‏下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有。‎ A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET E: N沟道结型场效应管

2022-06-08 问题

IGBT是一个复合型的器件，它是 A: GTR驱动的MOSFET B: MOSFET驱动的GTR C: MOSFET驱动的晶闸管 D: MOSFET驱动的GTO

2022-06-03 问题

已知四个FET的转移特性曲线分别如下图a、b、c、d所示,由此可判断a图、b图、c图和d图四只管子的类型分别为()。[img=518x363]17e0b2405403c90.jpg[/img] A: (a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET; B: (a)N沟道增强型MOSFET,(b)N沟道耗尽型MOSFET,(c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET; C: (a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道增强型MOSFET,(d)P沟道耗尽型MOSFET; D: (a)N沟道JFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道JFET,(d)P沟道增强型MOSFET;

已知四个FET的转移特性曲线分别如下图a、b、c、d所示,由此可判断a图、b图、c图和d图四只管子的类型分别为()。[img=518x363]17e0b2405403c90.jpg[/img] A: (a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET; B: (a)N沟道增强型MOSFET,(b)N沟道耗尽型MOSFET,(c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET; C: (a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道增强型MOSFET,(d)P沟道耗尽型MOSFET; D: (a)N沟道JFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道JFET,(d)P沟道增强型MOSFET;

2022-05-27 问题