外界对存储器的控制信号包括下列的（）。 A: 读信号 B: 写信号 C: 片选信号 D: 中断
外界对存储器的控制信号包括下列的（）。 A: 读信号 B: 写信号 C: 片选信号 D: 中断
SRAM如果读写控制信号用两个控制信号表示，读信号表示为 ， 电平有效。写信号表示为 ， 电平有效
SRAM如果读写控制信号用两个控制信号表示，读信号表示为 ， 电平有效。写信号表示为 ， 电平有效
数据存储器的读写控制信号分别为______ ，而程序存储器（只读）的读信号为______ 。
数据存储器的读写控制信号分别为______ ，而程序存储器（只读）的读信号为______ 。
片外扩展程序存储器访问的读选通信号是(),片外扩展数据存储器访问的读信号是(),写信号是()。
片外扩展程序存储器访问的读选通信号是(),片外扩展数据存储器访问的读信号是(),写信号是()。
传感器的主要功纠是把（）转换成电量读信号，或者将物理量、电量、化学量的信号转换成电控单元能够理解的信号。
传感器的主要功纠是把（）转换成电量读信号，或者将物理量、电量、化学量的信号转换成电控单元能够理解的信号。
MCS-51单片机访问片外扩展的程序存储器所用的读信号为（ ），扩展数据存储器所用的读写控制信号分别为（ ）和（ ）。
MCS-51单片机访问片外扩展的程序存储器所用的读信号为（ ），扩展数据存储器所用的读写控制信号分别为（ ）和（ ）。
下面哪指令产生有效的低电平读信号
下面哪指令产生有效的低电平读信号
51单片机扩展外部数据存储器时,存储器读信号由单片机的/PSEN引脚控制。()
51单片机扩展外部数据存储器时,存储器读信号由单片机的/PSEN引脚控制。()
单片机读相同地址外部RAM和ROM时，执行不同指令，产生不同的读信号。 A: 正确 B: 错误
单片机读相同地址外部RAM和ROM时，执行不同指令，产生不同的读信号。 A: 正确 B: 错误
某机字长16位，CPU地址总线18位，数据总线16位，存储器按字编址，CPU的控制信号线有：MREQ#（存储器访问请求，低电平有效），R/W#（读写控制，低电平为写信号，高电平为读信号）。试问：【＊＊，★，包捷5.2，编号3.3，3.5.2】该机可以配备的最大主存容量为（）。
某机字长16位，CPU地址总线18位，数据总线16位，存储器按字编址，CPU的控制信号线有：MREQ#（存储器访问请求，低电平有效），R/W#（读写控制，低电平为写信号，高电平为读信号）。试问：【＊＊，★，包捷5.2，编号3.3，3.5.2】该机可以配备的最大主存容量为（）。