氧化物IGZO、多晶硅p-Si和非晶硅a-Si三种材料中迁移率最高的是______ ，相比于p-Si，a-Si制作TFT在制备温度上有______ 的优点。
氧化物IGZO、多晶硅p-Si和非晶硅a-Si三种材料中迁移率最高的是______ ，相比于p-Si，a-Si制作TFT在制备温度上有______ 的优点。
a-Si FPD A: 直接转换 B: 间接转换 C: 光电转换 D: 闪烁晶体 E: 电光转换
a-Si FPD A: 直接转换 B: 间接转换 C: 光电转换 D: 闪烁晶体 E: 电光转换
a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。
a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。
通过PECVD工艺沉积的非晶硅薄膜（a-Si）属于() A: 导体 B: 绝缘体 C: 半导体 D: 超导体
通过PECVD工艺沉积的非晶硅薄膜（a-Si）属于() A: 导体 B: 绝缘体 C: 半导体 D: 超导体
下列程序执行后，SI寄存器中的内容是_____。 MOV SI，-1 MOV L，4 SAL SI，CL AND SI，7FFFH OR SI，8000H 6．NOT SI
下列程序执行后，SI寄存器中的内容是_____。 MOV SI，-1 MOV L，4 SAL SI，CL AND SI，7FFFH OR SI，8000H 6．NOT SI
SI导出单位由（）构成。 A: 包括SI辅助单位在内的具有专门名称的SI导出单位 B: SI单位的倍数单位 C: SI单位的十进倍数单位 D: 组合形式的SI导出单位 E: SI单位的十进分数单位
SI导出单位由（）构成。 A: 包括SI辅助单位在内的具有专门名称的SI导出单位 B: SI单位的倍数单位 C: SI单位的十进倍数单位 D: 组合形式的SI导出单位 E: SI单位的十进分数单位
质点的运动方程为r=2ti-2t∧2j(SI)，则t=2s时，质点的加速度为（ ）。 A: 2j(SI) B: -2j(SI) C: 4j(SI) D: -4j(SI)
质点的运动方程为r=2ti-2t∧2j(SI)，则t=2s时，质点的加速度为（ ）。 A: 2j(SI) B: -2j(SI) C: 4j(SI) D: -4j(SI)
假设信源是由g个离散符号S1，S2，…，Si，…，Sq所组成的符号集合，集合中的每个符号是独立的，其中任一个符号Si出现的概率为P(Si)，并满足∑P(Si)=1。那么符号Si含有的信息量：I(Si)等于 (17) ，单位是 (18) 。 A: -logqP(Si) B: logqP(Si) C: -log2P(Si) D: log2P(Si)
假设信源是由g个离散符号S1，S2，…，Si，…，Sq所组成的符号集合，集合中的每个符号是独立的，其中任一个符号Si出现的概率为P(Si)，并满足∑P(Si)=1。那么符号Si含有的信息量：I(Si)等于 (17) ，单位是 (18) 。 A: -logqP(Si) B: logqP(Si) C: -log2P(Si) D: log2P(Si)
用一条指令实现（BX）+(SI)=>CX的方法是（ ）。 A: MOV CX, [BX][SI] B: LEA CX, [BX][SI] C: LDS CX, [BX][SI] D: XCHG CX, [BX][SI]
用一条指令实现（BX）+(SI)=>CX的方法是（ ）。 A: MOV CX, [BX][SI] B: LEA CX, [BX][SI] C: LDS CX, [BX][SI] D: XCHG CX, [BX][SI]
下列语句有语法错误的是( ) A: MOV BX, [SI] B: MOV [BX], BX C: LEA SI, DI D: LES SI, [BX][SI]
下列语句有语法错误的是( ) A: MOV BX, [SI] B: MOV [BX], BX C: LEA SI, DI D: LES SI, [BX][SI]