氧化物IGZO、多晶硅p-Si和非晶硅a-Si三种材料中迁移率最高的是______ ，相比于p-Si，a-Si制作TFT在制备温度上有______ 的优点。
举一反三
- 硅(Si)易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料。
- 硅(Si)易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料。 A: 正确 B: 错误
- 硅(Si)易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料。 A: 正确 B: 错误
- 硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下，电子迁移率大小顺序为（ ）。 A: μGaAs＜μGe＜μSi B: μGe＜μSi＜μGaAs C: μSi＜μGe＜μGaAs D: 无法比较
- 以石英砂制备单晶硅板需要下列哪些过程？ A: SiO2+2C=高温=Si（粗硅）+2CO↑ B: Si（粗）+2Cl2=高温=SiCl4 C: SiCl4+2H2=高温=Si（纯硅）+4HCl D: 高纯硅通过材料化的过程制备成单晶硅板