某等容反应的正向反应活化能为Ef,逆向反应活化能为Eb,则Ef-Eb等于 ( )
某等容反应的正向反应活化能为Ef,逆向反应活化能为Eb,则Ef-Eb等于 ( )
在图1所示的结构中,若不计各杆自重,()杆为二力杆。 A: AD和EB B: AD和EF C: AD和FC D: EF和FC
在图1所示的结构中,若不计各杆自重,()杆为二力杆。 A: AD和EB B: AD和EF C: AD和FC D: EF和FC
下列图像格式中支持透明控制信息的是(37)。 A: PCX B: PNG C: BMP D: JPG
下列图像格式中支持透明控制信息的是(37)。 A: PCX B: PNG C: BMP D: JPG
表达式a*(b+c-d)+e*f的前缀表达式是:()。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
表达式a*(b+c-d)+e*f的前缀表达式是:()。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
2、方程[img=123x24]18031ef35d4d551.png[/img]的两根为( ) A: [img=44x18]18031ef365ece4a.png[/img]或[img=44x18]18031ef36e4c6cb.png[/img] B: [img=44x18]18031ef365ece4a.png[/img]或[img=58x20]18031ef37eb7708.png[/img] C: [img=44x18]18031ef365ece4a.png[/img]或[img=44x18]18031ef36e4c6cb.png[/img] D: [img=58x20]18031ef39995a3c.png[/img]或[img=58x20]18031ef37eb7708.png[/img]
2、方程[img=123x24]18031ef35d4d551.png[/img]的两根为( ) A: [img=44x18]18031ef365ece4a.png[/img]或[img=44x18]18031ef36e4c6cb.png[/img] B: [img=44x18]18031ef365ece4a.png[/img]或[img=58x20]18031ef37eb7708.png[/img] C: [img=44x18]18031ef365ece4a.png[/img]或[img=44x18]18031ef36e4c6cb.png[/img] D: [img=58x20]18031ef39995a3c.png[/img]或[img=58x20]18031ef37eb7708.png[/img]
EB循环时,不合格EB来自()。
EB循环时,不合格EB来自()。
膨胀土具有一定的胀缩性,根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时,即可定为膨胀土。 A: δef<20% B: 20%≤δef<30% C: 30%≤δef<40% D: δef≥40%
膨胀土具有一定的胀缩性,根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时,即可定为膨胀土。 A: δef<20% B: 20%≤δef<30% C: 30%≤δef<40% D: δef≥40%
晶体结合能Eb,自由原子总能量En,晶体总能量u的关系是什么? A: (Eb=En/u) B: (Eb= En—u) C: (Eb=En+u) D: (Eb=En*u)
晶体结合能Eb,自由原子总能量En,晶体总能量u的关系是什么? A: (Eb=En/u) B: (Eb= En—u) C: (Eb=En+u) D: (Eb=En*u)
设f(x)可微,则d(ef(x))=()。 A: f,(x)dx B: ef(x)dx C: f,(x)ef(x)dx D: ef,(x)dx
设f(x)可微,则d(ef(x))=()。 A: f,(x)dx B: ef(x)dx C: f,(x)ef(x)dx D: ef,(x)dx
金属与n型半导体形成MIS结构,表面层处于反型状态时, 有( )。 A: EF>Ei B: EF=Ei C: EF<Ei D: EF<Ev
金属与n型半导体形成MIS结构,表面层处于反型状态时, 有( )。 A: EF>Ei B: EF=Ei C: EF<Ei D: EF<Ev