两种RAM的类型的存储器是()和DRAM。 A: APRAM B: BERAM C: CEPRAM D: DSRAM
两种RAM的类型的存储器是()和DRAM。 A: APRAM B: BERAM C: CEPRAM D: DSRAM
CPU访问下列哪种存储介质的速度最快?() A: ACDROM B: BSSD C: CDRAM D: DSRAM
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U 盘是采用作为存储器的移动存储设备() A: AFlashMemory B: BEPROM C: CEEPROM D: DSRAM
U 盘是采用作为存储器的移动存储设备() A: AFlashMemory B: BEPROM C: CEEPROM D: DSRAM
以下存储器中,只有()是以电容来存储信息,需要定期进行刷新。 A: APROM B: BEPROM C: CDRAM D: DSRAM
以下存储器中,只有()是以电容来存储信息,需要定期进行刷新。 A: APROM B: BEPROM C: CDRAM D: DSRAM
微型计算机内存容量的大小,一般是指() A: AROM的容量 B: BRAM的容量 C: CCache的容量 D: DSRAM的容量
微型计算机内存容量的大小,一般是指() A: AROM的容量 B: BRAM的容量 C: CCache的容量 D: DSRAM的容量
SRAM和DRAM的区别?() A: ASRAM比DRAM功耗高 B: BSRAM比DRAM成本高 C: CSRAM比DRAM速度快 D: DSRAM比DRAM散热大
SRAM和DRAM的区别?() A: ASRAM比DRAM功耗高 B: BSRAM比DRAM成本高 C: CSRAM比DRAM速度快 D: DSRAM比DRAM散热大
可编程逻辑器件按照编程工艺可分为四类,其中属于非易失性器件的有()。 A: A熔丝和反熔丝编程器件 B: BUEPROM编程器件 C: CEEPROM编程器件 D: DSRAM编程器件
可编程逻辑器件按照编程工艺可分为四类,其中属于非易失性器件的有()。 A: A熔丝和反熔丝编程器件 B: BUEPROM编程器件 C: CEEPROM编程器件 D: DSRAM编程器件
以下关于DRAM和SRAM说法错误的是() A: ADRAM将每个位存储为对一个电容的充电 B: BSRAM对光干扰敏感,对电干扰不敏感 C: CSRAM主要用于高速缓存 D: DSRAM具有双稳态特性
以下关于DRAM和SRAM说法错误的是() A: ADRAM将每个位存储为对一个电容的充电 B: BSRAM对光干扰敏感,对电干扰不敏感 C: CSRAM主要用于高速缓存 D: DSRAM具有双稳态特性
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