以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（）
A: ADRAM将每个位存储为对一个电容的充电
B: BSRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感
C: CSRAM主要用于高速缓存
D: DSRAM具有双稳态特性
A: ADRAM将每个位存储为对一个电容的充电
B: BSRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感
C: CSRAM主要用于高速缓存
D: DSRAM具有双稳态特性
B
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举一反三
- 以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（） A: DRAM将每个位存储为对一个电容的充电 B: SRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感 C: SRAM主要用于高速缓存 D: SRAM具有双稳态特性
- 以下关于DRAM和SRAM说法正确的是（） A: DRAM具有双稳态特性 B: SRAM将每个位存储为对一个电容的充电 C: DRAM主要用于主存，帧缓冲区 D: SRAM对干扰非常敏感
- 以下关于SRAM和DRAM的区别描述中，（）是不对的。 A: ASRAM比DRAM慢 B: BSRAM比DRAM耗电多 C: CDRAM存储密度比SRAM高得多 D: DDRAM需要周期性刷新
- 关于SRAM和DRAM，下列叙述正确的是（ ） A: 通常SRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容上有电荷为1，无电荷为0； B: DRAM依靠双稳态电路的两个稳定状态分别存储0和1 C: SRAM速度较慢，但集成度稍高；DRAM速度稍快，但集成度低 D: SRAM速度较快，但集成度稍低；DRAM速度稍慢，但集成度高
- 关于消化道平滑肌的生理特性,错误的是 A: 具有自动节律性 B: 具有紧张性 C: 对电刺激敏感 D: 对牵张、温度、化学刺激敏感
内容
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干扰的形成必须具备三个条件：干扰源、干扰途径和对声音敏感的接收电路。
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下列哪些是病毒的特性是（） A: 只能在活细胞内寄生 B: 对脂溶剂都敏感 C: 可以通过除菌虑器 D: 对现有抗生素都补敏感 E: 对干扰素不敏感
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下列关于DRAM和SRAM的说法中，错误的是______。 Ⅰ．SRAM不是易失性存储器，而DRAM是易失性存储器 Ⅱ．DRAM比SRAM集成度更高，因此读写速度也更快 Ⅲ．主存只能由DRAM构成，而高速缓存只能由SRAM构成 Ⅳ．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，因此功耗较高 A: Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ B: Ⅰ、Ⅲ、Ⅳ C: Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ D: Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ
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以下关于SRAM和DRAM的区别描述中，（）是不对的。 A: SRAM比DRAM慢 B: SRAM比DRAM耗电多 C: DRAM存储密度比SRAM高得多 D: AM需要周期性刷新
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数控机床（）。 A: 不需要接地 B: 应良好接地 C: 对电路干扰不敏感 D: 对振动不敏感