• 2022-05-29
    以下关于DRAM和SRAM说法错误的是()
    A: ADRAM将每个位存储为对一个电容的充电
    B: BSRAM对光干扰敏感,对电干扰不敏感
    C: CSRAM主要用于高速缓存
    D: DSRAM具有双稳态特性
  • B
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    内容

    • 0

      干扰的形成必须具备三个条件:干扰源、干扰途径和对声音敏感的接收电路。

    • 1

      下列哪些是病毒的特性是() A: 只能在活细胞内寄生 B: 对脂溶剂都敏感 C: 可以通过除菌虑器 D: 对现有抗生素都补敏感 E: 对干扰素不敏感

    • 2

      下列关于DRAM和SRAM的说法中,错误的是______。 Ⅰ.SRAM不是易失性存储器,而DRAM是易失性存储器 Ⅱ.DRAM比SRAM集成度更高,因此读写速度也更快 Ⅲ.主存只能由DRAM构成,而高速缓存只能由SRAM构成 Ⅳ.与SRAM相比,DRAM由于需要刷新,因此功耗较高 A: Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ B: Ⅰ、Ⅲ、Ⅳ C: Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ D: Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ

    • 3

      以下关于SRAM和DRAM的区别描述中,()是不对的。 A: SRAM比DRAM慢 B: SRAM比DRAM耗电多 C: DRAM存储密度比SRAM高得多 D: AM需要周期性刷新

    • 4

      数控机床()。 A: 不需要接地 B: 应良好接地 C: 对电路干扰不敏感 D: 对振动不敏感