以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（）
A: ADRAM将每个位存储为对一个电容的充电
B: BSRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感
C: CSRAM主要用于高速缓存
D: DSRAM具有双稳态特性
A: ADRAM将每个位存储为对一个电容的充电
B: BSRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感
C: CSRAM主要用于高速缓存
D: DSRAM具有双稳态特性
举一反三
- 以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（） A: DRAM将每个位存储为对一个电容的充电 B: SRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感 C: SRAM主要用于高速缓存 D: SRAM具有双稳态特性
- 以下关于DRAM和SRAM说法正确的是（） A: DRAM具有双稳态特性 B: SRAM将每个位存储为对一个电容的充电 C: DRAM主要用于主存，帧缓冲区 D: SRAM对干扰非常敏感
- SRAM和DRAM的区别？（） A: ASRAM比DRAM功耗高 B: BSRAM比DRAM成本高 C: CSRAM比DRAM速度快 D: DSRAM比DRAM散热大
- 以下关于SRAM和DRAM的区别描述中，（）是不对的。 A: ASRAM比DRAM慢 B: BSRAM比DRAM耗电多 C: CDRAM存储密度比SRAM高得多 D: DDRAM需要周期性刷新
- 关于SRAM和DRAM，下列叙述正确的是（ ） A: 通常SRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容上有电荷为1，无电荷为0； B: DRAM依靠双稳态电路的两个稳定状态分别存储0和1 C: SRAM速度较慢，但集成度稍高；DRAM速度稍快，但集成度低 D: SRAM速度较快，但集成度稍低；DRAM速度稍慢，但集成度高