定义变量为4字节的伪指令为( )。 A: DD B: DB C: DT D: DB
定义变量为4字节的伪指令为( )。 A: DD B: DB C: DT D: DB
电压增大一倍则db值增加db() A: 10 B: 8 C: 6 D: 4
电压增大一倍则db值增加db() A: 10 B: 8 C: 6 D: 4
在电流元Idl激发的磁场中,若在距离电流元为r处的磁感应强度为dB,下列叙述哪些是正确的?( ) [br][/br] (1)dB的方向与r方向相同 (2)dB的方向与Idl方向相同 (3)dB的方向垂直于Idl与r组成的平面 (4)dB的指向为Idl叉乘r的方向 A: (1)(2) B: (2)(4) C: (1)(3) D: (3)(4)
在电流元Idl激发的磁场中,若在距离电流元为r处的磁感应强度为dB,下列叙述哪些是正确的?( ) [br][/br] (1)dB的方向与r方向相同 (2)dB的方向与Idl方向相同 (3)dB的方向垂直于Idl与r组成的平面 (4)dB的指向为Idl叉乘r的方向 A: (1)(2) B: (2)(4) C: (1)(3) D: (3)(4)
练习:自由空间传播 1、在1米处的距离损耗为( )dB 2,在10米处的距离损耗为() dB; 3、在100米处的距离损耗为( )dB, 4、在200米处的距离损耗为() dB;
练习:自由空间传播 1、在1米处的距离损耗为( )dB 2,在10米处的距离损耗为() dB; 3、在100米处的距离损耗为( )dB, 4、在200米处的距离损耗为() dB;
截止频率处,闭环幅频特性的幅频值为()dB。 A: 3 B: 4 C: -4 D: -3
截止频率处,闭环幅频特性的幅频值为()dB。 A: 3 B: 4 C: -4 D: -3
在电流元Idl激发的磁场中,若在距离电流元为r处的磁感应强度为dB,下列叙述哪些是正的?( ) (1)dB的方向与r方向相同[br][/br] (2)dB的方向与Idl方向相同 (3)dB的方向垂直于Idl与r组成的平面[br][/br](4)dB的指向为Idl叉乘r的方向 A: (1)(2) B: (2)(4) C: (1)(3) D: (3)(4)
在电流元Idl激发的磁场中,若在距离电流元为r处的磁感应强度为dB,下列叙述哪些是正的?( ) (1)dB的方向与r方向相同[br][/br] (2)dB的方向与Idl方向相同 (3)dB的方向垂直于Idl与r组成的平面[br][/br](4)dB的指向为Idl叉乘r的方向 A: (1)(2) B: (2)(4) C: (1)(3) D: (3)(4)
智慧职教: 在对LCD1602的功能设置中,位DB4的DL=1表示LCD1602的4位数据接口
智慧职教: 在对LCD1602的功能设置中,位DB4的DL=1表示LCD1602的4位数据接口
LTE系统与异RAT系统间移动性测量事件有几种() A: AB1 B: BB2 C: CB3 D: DB4
LTE系统与异RAT系统间移动性测量事件有几种() A: AB1 B: BB2 C: CB3 D: DB4
某拟建企业厂界与界外居民楼测点背景噪声值为55dB()、53dB(),预测投产后两处测点的噪声贡献值分别为55dB()、53dB(),厂界和居民楼处噪声预测值分别为(A)。A.58 dB(A)、56 dB(A)B.55 dB(A)、53 dB(A)C.55 dB(A)、56 dB(A)D.58 dB(A)、53 dB(A) A: 58 dB(A)、56 dB(A) B: 55 dB(A)、53 dB(A) C: 55 dB(A)、56 dB(A) D: 58 dB(A)、53 dB(A)
某拟建企业厂界与界外居民楼测点背景噪声值为55dB()、53dB(),预测投产后两处测点的噪声贡献值分别为55dB()、53dB(),厂界和居民楼处噪声预测值分别为(A)。A.58 dB(A)、56 dB(A)B.55 dB(A)、53 dB(A)C.55 dB(A)、56 dB(A)D.58 dB(A)、53 dB(A) A: 58 dB(A)、56 dB(A) B: 55 dB(A)、53 dB(A) C: 55 dB(A)、56 dB(A) D: 58 dB(A)、53 dB(A)
在对LCD1602的功能设置中,位DB4的DL=1表示LCD1602的4位数据接口 A: 正确 B: 错误
在对LCD1602的功能设置中,位DB4的DL=1表示LCD1602的4位数据接口 A: 正确 B: 错误