(4). 要检验一个班级,在进行翻转教学后”概率统计“课程平均成绩是否有所提高,恰当的假设是( )。 A: \( H_0 :\mu =\mu _0 ,\quad H_1 :\mu =\mu _1 \) B: \( H_0 :\mu =\mu _0 ,\quad H_1 :\mu \ne \mu _0 \) C: \( H_0 :\mu =\mu _0 ,\quad H_1 :\mu >\mu _0 \) D: \( H_0 :\mu =\mu _0 ,\quad H_1 :\mu
(4). 要检验一个班级,在进行翻转教学后”概率统计“课程平均成绩是否有所提高,恰当的假设是( )。 A: \( H_0 :\mu =\mu _0 ,\quad H_1 :\mu =\mu _1 \) B: \( H_0 :\mu =\mu _0 ,\quad H_1 :\mu \ne \mu _0 \) C: \( H_0 :\mu =\mu _0 ,\quad H_1 :\mu >\mu _0 \) D: \( H_0 :\mu =\mu _0 ,\quad H_1 :\mu
在以下情况中,实现了消费者均衡的是() A: MU/P>MU/P B: MU/P<MU/P C: MU/P=MU/P D: MU/P=MU/P
在以下情况中,实现了消费者均衡的是() A: MU/P>MU/P B: MU/P<MU/P C: MU/P=MU/P D: MU/P=MU/P
计量资料配对t检验的无效假设(双侧检验)可写为() A: μ=μ B: μ≠0 C: μ=μ D: μ≠μ E: μ=0
计量资料配对t检验的无效假设(双侧检验)可写为() A: μ=μ B: μ≠0 C: μ=μ D: μ≠μ E: μ=0
(2). 根据题意,应提出假设( )。 A: \( H_0 :\mu \le 70,H_1 :\mu >70 \) B: \( H_0 :\mu \ge 70,H_1 :\mu < 70 \) C: \( H_0 :\mu =70,H_1 :\mu \ne 70 \) D: \( H_0 :\mu \ne 70,\;\;H_1 :\mu =70 \)
(2). 根据题意,应提出假设( )。 A: \( H_0 :\mu \le 70,H_1 :\mu >70 \) B: \( H_0 :\mu \ge 70,H_1 :\mu < 70 \) C: \( H_0 :\mu =70,H_1 :\mu \ne 70 \) D: \( H_0 :\mu \ne 70,\;\;H_1 :\mu =70 \)
以下单词中音节划分正确的有:( ) A: mu-sic B: do-ctor C: po-lite D: laugh-ter
以下单词中音节划分正确的有:( ) A: mu-sic B: do-ctor C: po-lite D: laugh-ter
在SiC晶体中不存在独立的SiC分子。_
在SiC晶体中不存在独立的SiC分子。_
混凝土,轻骨料混凝土,砖及石材的强度等级代号分别是() A: C,MU,MU,CL B: C,CL,MU,MU C: ,M,MU,C D: M,C,MU,CL
混凝土,轻骨料混凝土,砖及石材的强度等级代号分别是() A: C,MU,MU,CL B: C,CL,MU,MU C: ,M,MU,C D: M,C,MU,CL
(4). 如果餐厅问题不是问“ \( \mu \) 是否大于 \( 8000 \) ”?而是问“ \( \mu \) 是否发生了改变”,则可作假设为( )。 A: \( H_0 :\mu =8000\quad H_1 :\mu >8000 \) B: \( H_0 :\mu =8000\quad H_1 :\mu \ne 8000 \) C: \( H_0 :\mu \ne 8000\quad H_1 :\mu =8000 \)
(4). 如果餐厅问题不是问“ \( \mu \) 是否大于 \( 8000 \) ”?而是问“ \( \mu \) 是否发生了改变”,则可作假设为( )。 A: \( H_0 :\mu =8000\quad H_1 :\mu >8000 \) B: \( H_0 :\mu =8000\quad H_1 :\mu \ne 8000 \) C: \( H_0 :\mu \ne 8000\quad H_1 :\mu =8000 \)
SIC
SIC
下列物质熔点由低至高的排列顺序为 A: CCl4<CO2<SiC<CsCl B: CO2<CCl4<SiC<CsCl C: CO2<CCl4<CsCl<SiC D: CCl4<CO2<CsCl<SiC
下列物质熔点由低至高的排列顺序为 A: CCl4<CO2<SiC<CsCl B: CO2<CCl4<SiC<CsCl C: CO2<CCl4<CsCl<SiC D: CCl4<CO2<CsCl<SiC