DIP的封装面积与芯片面积比大概为:( ) A: 82:1 B: 1:82 C: 85:1 D: 1:85 E: 100:1 F: 1:100
DIP的封装面积与芯片面积比大概为:( ) A: 82:1 B: 1:82 C: 85:1 D: 1:85 E: 100:1 F: 1:100
DIP的封装面积与芯片面积比大概为:() A: 82:1 B: 1:82 C: 85:1 D: 1:85 E: 100:1 F: 1:100
DIP的封装面积与芯片面积比大概为:() A: 82:1 B: 1:82 C: 85:1 D: 1:85 E: 100:1 F: 1:100
A、B两点的往返距离为187.530m,返测距离为187.580m,则相对误差为( ) A: 1 / 3251 B: 1 / 3548 C: 1 / 3751 D: 1 / 3769
A、B两点的往返距离为187.530m,返测距离为187.580m,则相对误差为( ) A: 1 / 3251 B: 1 / 3548 C: 1 / 3751 D: 1 / 3769
一对角接触球轴承( α=25°)反安装。已知:径向力FrⅠ=6750N,FrⅡ=5700N,外部轴向力FA=2000N,方向如图所示,两轴承的轴向力FaⅠ、FaⅡ分别为( )。 (注:内部轴向力Fs=0.68Fr) [img=305x140]1803782a38c6302.gif[/img] A: 由于轴承1压紧,FaⅠ=Fa+FsⅡ,FaⅡ= FsⅡ B: 由于轴承1压紧,FaⅠ= FsⅠ,FaⅡ= FsⅠ+Fa C: 由于轴承1压紧,FaⅠ= FsⅡ,FaⅡ= FsⅡ+Fa D: 由于轴承2压紧,FaⅠ= FsⅠ,FaⅡ= FsⅠ+Fa
一对角接触球轴承( α=25°)反安装。已知:径向力FrⅠ=6750N,FrⅡ=5700N,外部轴向力FA=2000N,方向如图所示,两轴承的轴向力FaⅠ、FaⅡ分别为( )。 (注:内部轴向力Fs=0.68Fr) [img=305x140]1803782a38c6302.gif[/img] A: 由于轴承1压紧,FaⅠ=Fa+FsⅡ,FaⅡ= FsⅡ B: 由于轴承1压紧,FaⅠ= FsⅠ,FaⅡ= FsⅠ+Fa C: 由于轴承1压紧,FaⅠ= FsⅡ,FaⅡ= FsⅡ+Fa D: 由于轴承2压紧,FaⅠ= FsⅠ,FaⅡ= FsⅠ+Fa
以下公式中,哪些是预付年金终值计算公式() A: FA=A*(1+i)*(F/A,i,n) B: FA=A*(F/A,i,n)*(1+i) C: FA=A*[(F/A,i,n+1)-1] D: FA=A*[(F/A,i,n-1)+1]
以下公式中,哪些是预付年金终值计算公式() A: FA=A*(1+i)*(F/A,i,n) B: FA=A*(F/A,i,n)*(1+i) C: FA=A*[(F/A,i,n+1)-1] D: FA=A*[(F/A,i,n-1)+1]
background:url(2、png),url(1、jpg),url(3、png),url(4、jpg);},表示哪张图片处在最上层() A: 2、png B: 1、jpg C: 3、png D: 4、jpg
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图中出现的调号,有( )个升号,升( )音,表示要将乐曲中所有的()音,升高半音演唱或演奏。 A: 1,升mi,mi B: 1,升fa,fa C: 1,升sol ,sol D: 2,升fa ,do re mi fa sol la si
图中出现的调号,有( )个升号,升( )音,表示要将乐曲中所有的()音,升高半音演唱或演奏。 A: 1,升mi,mi B: 1,升fa,fa C: 1,升sol ,sol D: 2,升fa ,do re mi fa sol la si
烷烃伯仲叔氢在室温一溴代反应的活性为() A: 1:82:1600 B: 1600:82:1 C: 1:4:5
烷烃伯仲叔氢在室温一溴代反应的活性为() A: 1:82:1600 B: 1600:82:1 C: 1:4:5
在1/82/153/25()最接近0()最接近1/2()最接近1
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图中出现的调号,出现( )个降号,降( )音,表示要将乐曲中所有的()音,降低半音演唱或演奏。 A: 1,降mi,mi B: 1,降fa,fa C: 1,降si,si D: 1,降si,do re mi fa sol la si
图中出现的调号,出现( )个降号,降( )音,表示要将乐曲中所有的()音,降低半音演唱或演奏。 A: 1,降mi,mi B: 1,降fa,fa C: 1,降si,si D: 1,降si,do re mi fa sol la si