以下赋值指令写法正确的是( )。 A: eg1==reg2 B: eg1=reg2 C: eg1:=reg2 D: eg1!=reg2
以下赋值指令写法正确的是( )。 A: eg1==reg2 B: eg1=reg2 C: eg1:=reg2 D: eg1!=reg2
以下赋值指令写法正确的是( )。 A: eg1==reg2 B: eg1=reg2 C: eg1:=reg2 D: eg1!=reg2 参考答案:C 98.以下程序“reg1:=2;FOR i FROM 1 to 3 STEP 2 DO reg1:=reg1+2; ENDFOR” 的执行结果 reg1 为( )。<br>2 4 6 8
以下赋值指令写法正确的是( )。 A: eg1==reg2 B: eg1=reg2 C: eg1:=reg2 D: eg1!=reg2 参考答案:C 98.以下程序“reg1:=2;FOR i FROM 1 to 3 STEP 2 DO reg1:=reg1+2; ENDFOR” 的执行结果 reg1 为( )。<br>2 4 6 8
下列推导正确的是 。 A: (1) F(x)→G(x) 前提引入 (2)∃xF(x)→G(x) (1)EG B: (1)F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃x(F(x)→G(x)) (1)EG C: (1) F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃y(F(y)→G(x)) (1)EG D: (1) F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃xF(x)→G(x) (1)EG
下列推导正确的是 。 A: (1) F(x)→G(x) 前提引入 (2)∃xF(x)→G(x) (1)EG B: (1)F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃x(F(x)→G(x)) (1)EG C: (1) F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃y(F(y)→G(x)) (1)EG D: (1) F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃xF(x)→G(x) (1)EG
若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） A: hfB.hf>Eg B: hf=Eg
若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） A: hfB.hf>Eg B: hf=Eg
75.在八面体配合物中 ,可能发生大畸变的电子结构为 A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g)4(eg)2 C: (t2g)6(eg)3 D: (t2g)4(eg)0
75.在八面体配合物中 ,可能发生大畸变的电子结构为 A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g)4(eg)2 C: (t2g)6(eg)3 D: (t2g)4(eg)0
下列八面体络合物的电子结构中哪个将发生较大的畸变？ ( ) A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g )3(eg )2 C: (t2g )4(eg )2 D: (t2g )6(eg )3
下列八面体络合物的电子结构中哪个将发生较大的畸变？ ( ) A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g )3(eg )2 C: (t2g )4(eg )2 D: (t2g )6(eg )3
发动机的主要参数显示在上ECAM的是：（）。 A: EP B: EG C: N1、F D: N3 E: EP F: EG G: N1、N2、FF H: EP I: EG J: N1、VIBN1、VIBN2 K: EP L: EG M: N1、N2、N3
发动机的主要参数显示在上ECAM的是：（）。 A: EP B: EG C: N1、F D: N3 E: EP F: EG G: N1、N2、FF H: EP I: EG J: N1、VIBN1、VIBN2 K: EP L: EG M: N1、N2、N3
中国大学MOOC:"Eg=Ev-Ec";
中国大学MOOC:"Eg=Ev-Ec";
Eg=Ev-Ec A: 正确 B: 错误
Eg=Ev-Ec A: 正确 B: 错误
下列检验属于时间序列平稳性检验的是( ) A: DF检验和ADF检验 B: DF检验和EG检验 C: EG检验和ADF检验 D: DW检验和EG检验
下列检验属于时间序列平稳性检验的是( ) A: DF检验和ADF检验 B: DF检验和EG检验 C: EG检验和ADF检验 D: DW检验和EG检验