• 2022-05-29 问题

    10:05 A: 10:30 B: 10:05

    10:05 A: 10:30 B: 10:05

  • 2022-06-04 问题

    表达式a*(b+c-d)+e*f的前缀表达式是:()。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+

    表达式a*(b+c-d)+e*f的前缀表达式是:()。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+

  • 2022-06-09 问题

    北京大学2005年首次发文的发文字号应写成<br/>() A: 北京大学〔05〕1号 B: 北大〔05〕[05]一号 C: 北大〔2005〕1号 D: 北大〔05〕第1号

    北京大学2005年首次发文的发文字号应写成<br/>() A: 北京大学〔05〕1号 B: 北大〔05〕[05]一号 C: 北大〔2005〕1号 D: 北大〔05〕第1号

  • 2022-05-28 问题

    对于表单及控件的绝大多数属性,其类型通常是固定的,通常Caption属性只用来接收( )。 A: ABCD+"EF"="ABCDEF B: 1234-"34" C: CTOD("05/08/03") D: DTOC(DATE())>"04/03/02"

    对于表单及控件的绝大多数属性,其类型通常是固定的,通常Caption属性只用来接收( )。 A: ABCD+"EF"="ABCDEF B: 1234-"34" C: CTOD("05/08/03") D: DTOC(DATE())>"04/03/02"

  • 2022-06-03 问题

    以下数据中,______不是字符型数据。 A: 01/05/99 B: ABCD12 C: 01/05/99 D: [01/05/99]

    以下数据中,______不是字符型数据。 A: 01/05/99 B: ABCD12 C: 01/05/99 D: [01/05/99]

  • 2022-06-07 问题

    “申请”表的结构如下:使用INSERT命令插入一条记录,正确的是() A: INSERTTNTO申请(项目负责人,申请日期,项目状态)(”2012110001”ctod(“05/05/2014”),2) B: INSERTTNTO申请(项目负责人,申请日期)VALUES(”2012110001”,ctod(“05/05/2014”),2) C: INSERTTNTO申请(项目负责人,申请日期,项目状态)VALUES(”2012110001”,ctod(“05/05/2014”)) D: INSERTTNTO申请(项目负责人,申请日期,项目状态)VALUES(”2012110001”,ctod(“05/05/2014”),2)

    “申请”表的结构如下:使用INSERT命令插入一条记录,正确的是() A: INSERTTNTO申请(项目负责人,申请日期,项目状态)(”2012110001”ctod(“05/05/2014”),2) B: INSERTTNTO申请(项目负责人,申请日期)VALUES(”2012110001”,ctod(“05/05/2014”),2) C: INSERTTNTO申请(项目负责人,申请日期,项目状态)VALUES(”2012110001”,ctod(“05/05/2014”)) D: INSERTTNTO申请(项目负责人,申请日期,项目状态)VALUES(”2012110001”,ctod(“05/05/2014”),2)

  • 2022-05-29 问题

    膨胀土具有一定的胀缩性,根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时,即可定为膨胀土。 A: δef<20% B: 20%≤δef<30% C: 30%≤δef<40% D: δef≥40%

    膨胀土具有一定的胀缩性,根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时,即可定为膨胀土。 A: δef<20% B: 20%≤δef<30% C: 30%≤δef<40% D: δef≥40%

  • 2022-05-29 问题

    设f(x)可微,则d(ef(x))=()。 A: f,(x)dx B: ef(x)dx C: f,(x)ef(x)dx D: ef,(x)dx

    设f(x)可微,则d(ef(x))=()。 A: f,(x)dx B: ef(x)dx C: f,(x)ef(x)dx D: ef,(x)dx

  • 2022-06-30 问题

    金属与n型半导体形成MIS结构,表面层处于反型状态时, 有( )。 A: EF>Ei B: EF=Ei C: EF<Ei D: EF<Ev

    金属与n型半导体形成MIS结构,表面层处于反型状态时, 有( )。 A: EF>Ei B: EF=Ei C: EF<Ei D: EF<Ev

  • 2022-06-16 问题

    http://assets.uooconline.com/upload/2017/05/15/adaef741533e238a.pnghttp://assets.uooconline.com/upload/2017/05/15/fe54c9049b43c631.png

    http://assets.uooconline.com/upload/2017/05/15/adaef741533e238a.pnghttp://assets.uooconline.com/upload/2017/05/15/fe54c9049b43c631.png

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