P沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是() A: UGST,UDS≥UDS-UT B: UGST,UDS≤UGS-UT C: UGS>UT,UDS≥UDS-UT D: UGS>UT,UDS≤UGS-UT
P沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是() A: UGST,UDS≥UDS-UT B: UGST,UDS≤UGS-UT C: UGS>UT,UDS≥UDS-UT D: UGS>UT,UDS≤UGS-UT
增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD
增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD
为使N沟道结型场效应管正常工作，应保证（） A: UGS<;0，UDS>;0 B: UGS>;0，UDS>;0 C: UGS<;0，UDS<;0 D: UGS>;0，UDS<;0
为使N沟道结型场效应管正常工作，应保证（） A: UGS<;0，UDS>;0 B: UGS>;0，UDS>;0 C: UGS<;0，UDS<;0 D: UGS>;0，UDS<;0
为保证N沟道增强型MOS管工作在恒流区，应满足 。 A: uGS＞0，uDS＜0 B: uGS＞0，uDS＞0 C: uGS＜0，uDS＞0 D: uGS＜0，uDS＜0
为保证N沟道增强型MOS管工作在恒流区，应满足 。 A: uGS＞0，uDS＜0 B: uGS＞0，uDS＞0 C: uGS＜0，uDS＞0 D: uGS＜0，uDS＜0
UT
UT
承压设备制造常用的无损检测方法主要包括哪些检测方法＜br＞（） A: RT、UT、MTA、RT、UT、MT B: RT、UT、MT C: RT、UT、MT、PT、ET
承压设备制造常用的无损检测方法主要包括哪些检测方法＜br＞（） A: RT、UT、MTA、RT、UT、MT B: RT、UT、MT C: RT、UT、MT、PT、ET
Catherine said she had eaten nothing ________ she was not hungry. A: ut that B: and C: that D: ut
Catherine said she had eaten nothing ________ she was not hungry. A: ut that B: and C: that D: ut
UT为温度的电压当量，当温度为室温时，UT≈________mV。
UT为温度的电压当量，当温度为室温时，UT≈________mV。
下列哪种序列相关可用DW检验(vt为具有零均值,常数方差且不存在序列相关的随机变量)( )。 A: ut=ρut-1+vt B: ut=ρut-1+ρ2ut-2+…+vt C: ut=ρvt D: ut=ρvt+ρ2 vt-1 +…
下列哪种序列相关可用DW检验(vt为具有零均值,常数方差且不存在序列相关的随机变量)( )。 A: ut=ρut-1+vt B: ut=ρut-1+ρ2ut-2+…+vt C: ut=ρvt D: ut=ρvt+ρ2 vt-1 +…
如果模型yt=β0+β1xt+ut，（ ）则说明不存在随机误差项自相关问题。 A: cov(xt，ut)=0 B: cov(us，ut)=0(t≠s) C: cov(xt，ut)≠0 D: cov(us，ut)≠0(t≠s)
如果模型yt=β0+β1xt+ut，（ ）则说明不存在随机误差项自相关问题。 A: cov(xt，ut)=0 B: cov(us，ut)=0(t≠s) C: cov(xt，ut)≠0 D: cov(us，ut)≠0(t≠s)