集成电路的主要制造流程是（） A: 硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试 B: 硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路 C: 晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路 D: 硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
集成电路的主要制造流程是（） A: 硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试 B: 硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路 C: 晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路 D: 硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
集成电路的主要制造流程是（） A: A硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试 B: B硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路 C: C晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路 D: D硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
集成电路的主要制造流程是（） A: A硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试 B: B硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路 C: C晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路 D: D硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
分析低磷、低硅样品不得使用棕刚玉砂轮片抛光。
分析低磷、低硅样品不得使用棕刚玉砂轮片抛光。
减薄工艺的正确流程是( )。 A: 清洗→上蜡粘片→原始厚度测量→压片→二次厚度测量→抛光→减薄→去蜡→清洗 B: 清洗→压片→原始厚度测量→上蜡粘片→二次厚度测量→减薄→抛光→去蜡→清洗 C: 清洗→压片→原始厚度测量→上蜡粘片→二次厚度测量→抛光→减薄→去蜡→清洗 D: 清洗→原始厚度测量→上蜡粘片→压片→二次厚度测量→减薄→抛光→去蜡→清洗
减薄工艺的正确流程是( )。 A: 清洗→上蜡粘片→原始厚度测量→压片→二次厚度测量→抛光→减薄→去蜡→清洗 B: 清洗→压片→原始厚度测量→上蜡粘片→二次厚度测量→减薄→抛光→去蜡→清洗 C: 清洗→压片→原始厚度测量→上蜡粘片→二次厚度测量→抛光→减薄→去蜡→清洗 D: 清洗→原始厚度测量→上蜡粘片→压片→二次厚度测量→减薄→抛光→去蜡→清洗
硅圆片的供货状态及特点错误的是 A: 抛光片：表面呈闪闪发光的镜面状态 B: 外延片：硅片表面为基本无缺陷层 C: 退火硅圆片：硅片表面附近为少缺陷层 D: SOI：硅片表面为基本无缺陷层
硅圆片的供货状态及特点错误的是 A: 抛光片：表面呈闪闪发光的镜面状态 B: 外延片：硅片表面为基本无缺陷层 C: 退火硅圆片：硅片表面附近为少缺陷层 D: SOI：硅片表面为基本无缺陷层
硅圆片制备的最后一道工序是（）。 A: 切片 B: 刻蚀 C: 抛光 D: 定向
硅圆片制备的最后一道工序是（）。 A: 切片 B: 刻蚀 C: 抛光 D: 定向
根据抛光方式的不同，抛光工具可分为（ ）。 A: 电动抛光 B: 气动抛光 C: 手工抛光 D: 机械抛光
根据抛光方式的不同，抛光工具可分为（ ）。 A: 电动抛光 B: 气动抛光 C: 手工抛光 D: 机械抛光
亚克力抛光方式有（） A: 布轮抛光法 B: 砂轮抛光法 C: 钻石抛光法 D: 火焰抛光法
亚克力抛光方式有（） A: 布轮抛光法 B: 砂轮抛光法 C: 钻石抛光法 D: 火焰抛光法
硅圆片的制备一般需要经过的流程包括：整形处理、基准面研磨、定向、（ ）、磨片、（ ）、刻蚀、抛光
硅圆片的制备一般需要经过的流程包括：整形处理、基准面研磨、定向、（ ）、磨片、（ ）、刻蚀、抛光
抛光的三种方法为机械抛光、电解抛光、电化学抛光。
抛光的三种方法为机械抛光、电解抛光、电化学抛光。