二次型[img=320x27]18031763fd5a8fe.png[/img]是正定二次型，[img=11x19]1803176406d8109.png[/img]应满足的条件（） 未知类型：{'options': ['180317640ef3364.png>-1', '180317640ef3364.png>0', '180317640ef3364.png>1', '180317640ef3364.png18031764304e6a9.png1'], 'type': 102}

二次型[img=320x27]18031763fd5a8fe.png[/img]是正定二次型，[img=11x19]1803176406d8109.png[/img]应满足的条件（） A: [img=11x19]180317640ef3364.png[/img]>-1 B: [img=11x19]180317640ef3364.png[/img]>0 C: [img=11x19]180317640ef3364.png[/img]>1 D: [img=11x19]180317640ef3364.png[/img][img=14x21]18031764304e6a9.png[/img]1

表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+

膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%

设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx

金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev

关于流动效率EF与表皮系数S的关系，描述正确的是（ ） A: S>0，则EF<1 B: S<0，则EF>1 C: S=0， 则Ef=1 D: S=1， 则EF=0

直线EF的三面投影如图所示，则直线EF是（）。10e16a06a68d8632a1ba823c65aa835a.png

直线EF的三面投影如图所示，则直线EF是（ ）。10e16a06a68d8632a1ba823c65aa835a.png

直线EF⊥GH，其中EF是水平线，根据直角投影定理，EF与GH直线在投影面上投影反映直角。