A 、B 为任意二随机事件，则P(A ∪B)=P(A)+P(B-P(AB)。 ( )
A 、B 为任意二随机事件，则P(A ∪B)=P(A)+P(B-P(AB)。 ( )
一平面简谐波以速度u沿ｘ轴正方向传播，在t＝t＇时波形曲线如图所示．则坐标原点Ｏ的振动方程为[img=237x134]18032de39d86d2f.png[/img] A: y=acos[p u( t-t¢)/b-p/2] B: y=acos[u( t-t¢)/b+p/2] C: y=acos[2p u( t-t¢)/b-p/2] D: y=acos[p u( t+t¢)/b+p/2]
一平面简谐波以速度u沿ｘ轴正方向传播，在t＝t＇时波形曲线如图所示．则坐标原点Ｏ的振动方程为[img=237x134]18032de39d86d2f.png[/img] A: y=acos[p u( t-t¢)/b-p/2] B: y=acos[u( t-t¢)/b+p/2] C: y=acos[2p u( t-t¢)/b-p/2] D: y=acos[p u( t+t¢)/b+p/2]
金黄色葡萄球菌在B-P平板上的菌落特征如何，说明其原理。
金黄色葡萄球菌在B-P平板上的菌落特征如何，说明其原理。
简述金黄色葡萄球菌在B－P平板上的菌落特征及其形成的原因。
简述金黄色葡萄球菌在B－P平板上的菌落特征及其形成的原因。
不可以高压灭菌处理的培养基有（）。 A: B-P培养基 B: SC增菌液 C: HE培养基 D: PALCAM培养基
不可以高压灭菌处理的培养基有（）。 A: B-P培养基 B: SC增菌液 C: HE培养基 D: PALCAM培养基
以下培养基可以高压灭菌处理的有（）。 A: SC增菌液 B: PALCAM培养基 C: B-P培养基 D: XLD培养基
以下培养基可以高压灭菌处理的有（）。 A: SC增菌液 B: PALCAM培养基 C: B-P培养基 D: XLD培养基
在金黄色葡萄球菌检验中,分离时用到培养基上() A: 血平板 B: BS平板 C: B-P平板 D: SS平板
在金黄色葡萄球菌检验中,分离时用到培养基上() A: 血平板 B: BS平板 C: B-P平板 D: SS平板
电阻和电容串联的单相交流电路中的有功功率计算公式是( )。 A: A-P=Ssinφ B: B-P=UI C: C-P=UIcosφ D: D-P=UIsinφ
电阻和电容串联的单相交流电路中的有功功率计算公式是( )。 A: A-P=Ssinφ B: B-P=UI C: C-P=UIcosφ D: D-P=UIsinφ
条件概率公式正确的是（） A: P（A|B）=P（B|A）*P（A）/P（B） B: P（A|B）=P（B|A）*P（B）/P（A） C: P（B|A）=P（A|B）*P（A）/P（B） D: P（A|B）=P（AB）*P（A）/P（）
条件概率公式正确的是（） A: P（A|B）=P（B|A）*P（A）/P（B） B: P（A|B）=P（B|A）*P（B）/P（A） C: P（B|A）=P（A|B）*P（A）/P（B） D: P（A|B）=P（AB）*P（A）/P（）
概率的加法公式，P（A∪B）＝（）。 A: P（A）＋P（B）－P（A）×P（B） B: P（A）＋P（B）－P（A∩B） C: P（A）＋P（B） D: P（A）＋P（B）＋P（A∩B）
概率的加法公式，P（A∪B）＝（）。 A: P（A）＋P（B）－P（A）×P（B） B: P（A）＋P（B）－P（A∩B） C: P（A）＋P（B） D: P（A）＋P（B）＋P（A∩B）